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發表於 2013年6月12日 04:59 PM
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kuntan 發表於 2013年6月12日 01:54 PM 
D大~您方便將conduction loss跟switching loss的計算方式列出嗎?小弟算出來的結果跟您差好多啊~
抱歉,我算錯了
總電流
I = 6A
Duty = 100 %,
conduction loss RDS = 0.004 ohm, P = I^2* R = 6*6*0.004 = 0.144W
每顆mos貢獻1/3 = 0.144/3 = 48mW
Duty = 50 %,
conduction loss RDS = 0.004 ohm, P = I^2* R = 12*12*0.004= 0.576W
每顆mos貢獻1/3,ON時間50% = 0.576 /3 / 2 = 96mW
switching loss 我比較懶, 採用另一個公式大約估計 P = (V^2 * C) * f/ 2
= (4*4* 2000 / 10^12) * 8000 / 2 = 0.00013 = 0.1 mW
p.s:小弟一直以為conduction loss很小可以忽略,想不到算起來反而比switching loss高,這樣50%時溫昇較高就說不通了~暈~ 不會啊,完全說得通。不要灰心啦。我本來就預期切換耗損遠小於內阻耗損,看上面duty 50%的功耗比100%的大呀! 雖然數字跟之前有出入,但數量級都是合理的。
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